[发明专利]存储单元、存储器以及数据写入方法在审
| 申请号： | 202010736490.7 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN114005473A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杨成成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种存储单元、存储器以及数据写入方法，所述存储单元包括：一自旋轨道矩提供线；至少两个存储结构，所述存储结构位于所述自旋轨道矩提供线上，进行写操作时，每一所述存储结构具有不同的写电流。本申请在一条自旋轨道矩提供线上设置至少两个存储结构，且进行写操作时，每一所述存储结构具有不同的写电流，可以通过控制电流来得到不同的存储结构组合状态，并将存储结构的状态改变成写入态对应的状态，大幅度提高了SOT‑MRAM的存储量和单位面积上的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 存储器 以及 数据 写入 方法 | ||
【主权项】：
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