[发明专利]用于可见光通信的GaN基LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010731387.3 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111816742A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 赵丽霞;林杉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于可见光通信的GaN基LED外延结构及其制备方法。包括衬底；缓冲层，位于所述衬底上；n型GaN层，位于所述缓冲层上；n型AlGaN电子阻挡层，位于所述n型GaN层上；InGaN/GaN多量子阱有源区，位于所述n型AlGaN电子阻挡层上；p型GaN层，位于所述InGaN/GaN多量子阱有源区上。本发明提供的LED外延结构降低了电子阻挡层对空穴注入量子阱的阻碍作用，提高了空穴注入效率；并且该LED外延结构还可以提高辐射复合系数，从而同时提高最高光功率和最大调制带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 可见 光通信 gan led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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