[发明专利]一种具有背面双MOS结构的快速关断RC-IGBT器件在审
| 申请号： | 202010731321.4 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111834449A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈伟中;黄垚;黄元熙;李顺;黄义;贺利军;张红升 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/40;H01L29/06;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 杨柳岸 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有背面双MOS结构的快速关断RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括栅极接触区1、发射极接触区2、金属场板3、集电极接触区4、发射极5、元胞区P型阱6、过渡区P型阱7、第一场限环8、第二场限环9、第三场限环10、N型集电极11、N型缓冲层12、P型集电极13、N型漂移区14、栅氧化层15、场氧化层16、集电极氧化层17、场截止环接触区18、场截止环19、集电极P‑base20。本发明在保证消除正向导通时的负阻效应的前提下，具有相对较快的关断速度和较低的Von、良好的反向导通性能及600V以上的耐压能力，提高了器件的工作稳定性和电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 背面 mos 结构 快速 rc igbt 器件 | ||
【主权项】：
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