[发明专利]有机EL设备的制造方法在审
| 申请号： | 202010721889.8 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN111799316A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 鸣泷阳三;岸本克彦 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海音科专利商标代理有限公司 31267 | 代理人： | 刘香兰 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 有机EL设备(100)的制造方法包含：在基板(1)上形成驱动电路层(2)的工序、在驱动电路层上形成无机保护层(2Pa)的工序、在无机保护层上形成有机平坦化层(2Pb)的工序、使有机平坦化层中所含的水分减少的工序、以及在使水分减少工序之后于有机平坦化层上形成有机EL元件层(3)的工序，并且，在形成有机平坦化层之后且加热有机平坦化层的工序之前，进而还包含形成将有机平坦化层覆盖的有机高分子膜的工序、以及除去有机高分子膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 el 设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
