[发明专利]光刻装置及其曝光方法在审
| 申请号： | 202010719311.9 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111736435A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 陈力钧;宋海生;王晓龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光刻装置及其曝光方法，所述光刻装置包括从上到下依次设置的光源、中继透镜、第一遮光板、掩膜板及工件台，所述工件台上用于放置一硅片，所述掩膜板包括位于中心的曝光图形区及位于所述曝光图形区四周的外围区，所述外围区设置有透光图案，所述第一遮光板设置在所述中继透镜与所述掩膜板之间，且所述第一遮光板在所述掩膜板上的投影至少覆盖所述掩膜板上的透光图案。由于长时间的使用导致中继透镜上产生有机挥发物，经过所述中继透镜的光线容易形成杂散光，通过所述第一遮光板覆盖所述掩膜板外围区上的透光图案，有效防止了所述杂散光将所述透光图案投影到硅片上，避免造成硅片规则区域内的CD差异。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 装置 及其 曝光 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010719311.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型发动机
- 下一篇：一种多维纳米位移装置
