[发明专利]HIPIMS溅射的方法和HIPIMS溅射系统在审
| 申请号： | 202010707809.3 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111826624A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | S.U.里伊施;J.维查特 | 申请（专利权）人： | 瑞士艾发科技 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;H01J37/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及HIPIMS溅射的方法和HIPIMS溅射系统。为了在靶材的使用寿命内并且在HIPIMS操作下控制溅射靶材（9）的操作，在靶材（9）的使用寿命内，与靶材（9）相关联的磁体结构的部分I相对于靶材（9）收缩，而磁体结构的第二部分II，如果会发生的话，相对于所述后侧（7）收缩较少。由此，部分I比部分II更靠近靶材（9）的周界，两者都围绕旋转轴线（A）偏心地旋转。 | ||
| 搜索关键词： | hipims 溅射 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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