[发明专利]一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置有效
申请号: | 202010675801.3 | 申请日: | 2020-07-14 |
公开(公告)号: | CN111945137B | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | 刘杰;谷昊周;程知群;董志华;严丽平;刘国华;李世琦 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | C23C16/517 | 分类号: | C23C16/517;C23C16/27 |
代理公司: | 杭州昱呈专利代理事务所(普通合伙) 33303 | 代理人: | 雷仕荣 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置,包括微波发生单元;圆柱形上腔体,内部设置抛物面顶;抛物面顶构成环形天线,用于将微波反射并汇聚;抛物面顶内顶部设置可调反射部,可调反射部能够上下调节;圆柱形上腔体具有进气口;圆柱形上腔体内具有微波通道,用于将微波导入抛物面顶内,微波通道的微波输入口连接微波发生单元;圆柱形下腔体,底部设置圆柱形下反射体,圆柱形下反射体中部开孔设置可调节式沉积台,可调节式沉积台上设置用于沉积金刚石膜的基片;圆柱形下反射体设置出气口。可调反射部和可调节式沉积台的设置,强化了微波谐振腔的调谐手段,可以实时优化等离子体的分布,实现高质量和高效率的金刚石膜制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 抛物面 环形 天线 金刚石 沉积 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010675801.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种稀土金属真空吸铸装置及方法
- 下一篇:一种高掺量粉煤灰富钾硅肥的制备工艺
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的