[发明专利]MOS驱动电路和集成电路芯片在审
| 申请号： | 202010674705.7 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111740727A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 龚坤林 | 申请（专利权）人： | 苏州赛芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/042 | 分类号： | H03K17/042;H03K17/687;H02M1/08 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种MOS驱动电路和集成电路芯片。该MOS驱动电路包括：第一比较器，第一比较器用于根据上拉晶体管的栅极电压，反馈上拉晶体管的工作状态，并输出第一反馈信号；第二比较器，第二比较器用于根据下拉晶体管的栅极电压，反馈下拉晶体管的工作状态，并输出第二反馈信号；逻辑转换模块，逻辑转换模块用于根据控制信号、第一反馈信号和第二反馈信号，在其第一输出端输出上拉控制信号，以在下拉晶体管导通时控制上拉晶体管断开；在其第二输出端输出下拉控制信号，以在上拉晶体管导通时控制下拉晶体管断开。与现有技术相比，本发明实施例避免了最后一级反相器产生穿通电流，从而有利于提升功率MOS的开关速度和系统效率。 | ||
| 搜索关键词： | mos 驱动 电路 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
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