[发明专利]形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法在审
| 申请号： | 202010667639.0 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN112242295A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | T.J.V.布兰考特 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762;H01L21/768;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明总体上涉及一种形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法，示例性实施例提供了一种在具有由顶表面、侧壁和底部限定的凹部的衬底上使用可流动碳基膜进行顶部选择性沉积的方法，其包括步骤：(i)在反应空间中在衬底的凹部中沉积可流动碳基膜直至凹部中可流动碳基膜的厚度达到预定的厚度，然后停止沉积步骤；和(ii)在基本上没有氢和氧的气氛中暴露碳基膜于氮等离子体以便选择性地在顶表面上重新沉积碳基膜。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 拓扑 受控 无定形碳 聚合物 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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