[发明专利]TFT阵列基板、显示装置和TFT阵列基板的制备方法在审
申请号: | 202010664310.9 | 申请日: | 2020-07-10 |
公开(公告)号: | CN111864107A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 蔡振飞 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请提供一种TFT阵列基板、采用了该TFT阵列基板的AMOLED显示装置、和该TFT阵列基板的制备方法,通过在TFT阵列基板上设置光转换层,利用单色发光层和光转换层结合的方式发出三原色光,通过光转换层吸收入射的环境光,减少了环境光的反射;通过在信号线上制作有色金属层,可以吸收照射到信号线上的环境光,通过在信号线对应位置设置遮光层,可遮挡和吸收从信号线和像素开口区域的反射阳极反射的环境光;本申请AMOLED显示装置实现了无需偏光片也可防止环境光反射的目的,提高了OLED器件的发光效率和AMOLED显示装置的亮度,降低了AMOLED显示装置的功耗,同时也因为去除了偏光片而节约了成本。 | ||
搜索关键词: | tft 阵列 显示装置 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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