[发明专利]一种具有低阻N型电子通道的超结SOI-LDMOS器件在审
| 申请号： | 202010657905.1 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111755523A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈伟中;黄元熙;黄垚;李顺;黄义;张红升 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种具有低阻N型电子通道的超结SOI‑LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括源极接触区、栅源隔离氧化层、栅氧化层、栅极接触区、场氧化层、漏极接触区、源极P+区、源极、漏极、P‑body、N型漂移区、埋氧层、衬底、低阻N型电子通道和超结区；低阻N型电子通道左边紧邻P‑body右侧上部，右边靠近漏极的左侧，上方从左至右依次靠近栅氧化层下方的右侧部分和场氧化层的下方，下方与超结区接壤；超结区左侧紧邻P‑body右侧下部，右侧紧邻N型漂移区，下方紧邻埋氧层。本发明在提高漂移区浓度，降低R |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 电子 通道 soi ldmos 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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