[发明专利]一种单晶金刚石与衬底无损耗快速分离方法有效
| 申请号： | 202010653578.2 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111996581B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 任泽阳;邢雨菲;张金风;张进成;何琦;苏凯;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12;C25F3/14;C23C14/48;C23C14/06;C23C14/24;C23C14/18;C30B25/20;C30B29/04 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶金刚石与衬底无损耗快速分离方法，包括步骤：S1、选取表面为(100)晶面的单晶金刚石作为衬底；S2、在所述衬底的表层中形成表面为(100)晶面的非金刚石层；S3、刻蚀所述非金刚石层和所述衬底，形成若干表面为(111)晶面的凹槽；S4、在所述非金刚石层的(100)晶面上选择性外延生长金刚石，形成外延层；S5、利用电化学腐蚀方法将所述凹槽之间的所述非金刚石层电解刻蚀掉，使所述外延层与所述衬底分离。该分离方法在金刚石衬底上预先刻蚀(111)晶面的凹槽，然后进行(100)晶面选择性外延，之后利用电化学腐蚀方法刻蚀掉相邻凹槽间的非金刚石层，实现分离衬底与外延层的目的，由于腐蚀深度小，大幅度提升了分离速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 衬底 损耗 快速 分离 方法 | ||
【主权项】：
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