[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 202010650437.5 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN111725217B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘沙沙;王恩博;卢峰;肖莉红;杨号号;李兆松 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的各方面提供了一种用于制造半导体器件的方法。形成包括在接触区域上的第一通孔的第一堆叠绝缘层的第一结构。通过用牺牲层填充第一通孔的至少顶部区域来形成第二结构。形成第三结构，该第三结构包括第二结构和堆叠在第二结构上方的第二堆叠绝缘层。第三结构还包括与第一通孔对准并延伸穿过第二堆叠绝缘层的第二通孔。通过去除牺牲层以形成包括第一通孔和第二通孔的延伸通孔来形成第四结构。确定与第一结构、第二结构、第三结构和第四结构相关联的多个重量，并且基于多个重量确定延伸通孔的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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