[发明专利]孪生负载中频交流PECVD沉积DLC涂层的方法在审
申请号: | 202010645618.9 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN111593321A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 黄志宏 | 申请(专利权)人: | 温州职业技术学院 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/503 |
代理公司: | 武汉华强专利代理事务所(普通合伙) 42237 | 代理人: | 温珊姗 |
地址: | 325035 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种孪生负载中频交流PECVD沉积DLC涂层的方法,包括真空腔内布置第一组工件和第二组工件,第一组工件中所有工件电连接,第二组工件中所有工件电连接;所述第一组工件和所述第二组工件的相对位置关系应满足条件:通过对第一组工件进行旋转或平移,可使第一组工件和第二组工件有规律地重合;以中频交流电源为等离子体激发源,所述中频交流电源的两极分别连接第一组工件和第二组工件;对真空腔抽真空并通入源气体,开启中频交流电源,采用PECVD在工件上沉积DLC涂层。本发明可避免DLC涂层沉积过程中的放电终止和阳极消失,从而可进一步消除由放电终止和阳极消失导致的工艺波动和产品品质不良。 | ||
搜索关键词: | 孪生 负载 中频 交流 pecvd 沉积 dlc 涂层 方法 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的