[发明专利]一种电场增强的三维螺旋结构基底在审
| 申请号： | 202010635642.4 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN113880042A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 汪万林 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 李莹 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电场增强的三维螺旋结构基底，涉及等离子体响应技术领域。所述三维螺旋结构基底包括多个三维螺旋结构单元，所述三维螺旋结构单元服从以下关系：f(x,y,z)＝sinxcosy+sinycosz+sinzcosx＝t(‑1.5≤t≤1.5)；其中，t调节所述三维螺旋结构单元的形貌。本发明提供的电场增强的三维螺旋结构基底，为三维螺旋结构单元组成，该三维螺旋结构单元为Gyroid结构，具有丰富多样的表面和gap结构，从而具有较大的比表面积，可以与电磁波充分接触，产生共振，进而产生高效的多样的等离子体增强，而不是常见周期结构单一的增强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 增强 三维 螺旋 结构 基底 | ||
【主权项】：
暂无信息
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