[发明专利]一种实现MCU Flash存储器擦写损耗均衡的方法在审
| 申请号： | 202010629941.7 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111813706A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈科明;王彪 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现MCU Flash存储器擦写损耗均衡的方法。本发明首先计算该数据的长度，根据数据长度的大小从存储区域选择合适数量的BLOCK提供给该数据的写入，并返回该次数据写入的末尾地址，等到下次数据更新写入时，将末尾地址作为更新数据的首地址写入，如此循环往复，待存储该类型数据的BLOCK耗尽时，将所有的BLOCK全部擦除，在原来的首地址重新再写入新的数据。本发明实现了flash损耗均衡，更是在flash存储器低成本的基础上又极大降低了flash存储器寿命消耗速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 mcu flash 存储器 擦写 损耗 均衡 方法 | ||
【主权项】：
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