[发明专利]一种基于键合工艺制备SiC IGBT的方法及SiC IGBT在审
| 申请号： | 202010627783.1 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111952172A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 杨霏;张文婷;安运来;查祎英;罗松威;夏经华;田丽欣;桑玲;田亮;牛喜平;吴军民;刘文亮;郭熠昀 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网福建省电力有限公司;国网福建省电力有限公司厦门供电公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/08;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于键合工艺制备SiC IGBT的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N‑过渡层、N‑漂移层、N+缓冲层和P+集电层；采用键合工艺对所述P+集电层和键合基片进行键合，之后去除SiC衬底和N‑过渡层，或先去除SiC衬底和N‑过渡层，之后采用键合工艺对所述P+集电层和键合基片进行键合；采用减薄工艺去除部分键合基片，并形成栅极、发射极和集电极，通过键合工艺减小了碎片概率，提高SiC IGBT的良品率，降低了SiC IGBT的生产成本；且P+集电层掺杂浓度高，降低了SiC IGBT的损耗，提高了SiC IGBT的导通特性；本发明提高了SiC IGBT所需外延材料的质量，减小导通电阻，进一步降低了SiC IGBT的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 工艺 制备 sic igbt 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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