[发明专利]辐射功率传感器芯片在审
| 申请号： | 202010626600.4 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN111952432A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王雪深;李劲劲;陈建;钟青;徐骁龙 | 申请（专利权）人： | 中国计量科学研究院 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 颜潇 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种辐射功率传感器芯片。每个第二热电结构与每个第一热电结构首尾依次直接连接，形成多个依次串联连接的电偶对，不需要通过其他导电材料就可以实现连接。并且，多个第一热电结构、多个第二热电结构、吸收辐射功率结构以及自校准结构均设置在同一平面，不需要中间热传输结构就可以实现辐射功率吸收热传导和自校准加热传导至多个热端连接点(即热电堆热端)。通过辐射功率传感器芯片可以实现热电堆热端分别与吸收辐射功率结构和自校准结构之间的快速热传导，缩短了热传递链，且响应快速，进而提高了检测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 功率 传感器 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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