[发明专利]辐射功率传感器芯片在审
| 申请号： | 202010626600.4 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN111952432A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王雪深;李劲劲;陈建;钟青;徐骁龙 | 申请（专利权）人： | 中国计量科学研究院 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 颜潇 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射 功率 传感器 芯片 | ||
1.一种辐射功率传感器芯片，其特征在于，包括：
基底(10)；
多个间隔设置的第一热电结构(310)和多个间隔设置的第二热电结构(320)，位于所述基底(10)的第一表面(110)；
多个所述第一热电结构(310)与多个所述第二热电结构(320)交替设置并一一对应首尾连接，所述第一热电结构(310)与所述第二热电结构(320)在同一侧的连接点形成热端连接点(330)；
吸收辐射功率结构(20)，位于所述第一表面(110)，所述吸收辐射功率结构(20)靠近所述热端连接点(330)设置；
自校准结构(40)，位于所述第一表面(110)，所述自校准结构(40)间隔位于所述吸收辐射功率结构(20)与所述热端连接点(330)之间。
2.根据权利要求1所述的辐射功率传感器芯片，其特征在于，所述吸收辐射功率结构(20)与所述自校准结构(40)的间隔距离大于10纳米且小于10微米。
3.根据权利要求1所述的辐射功率传感器芯片，其特征在于，所述自校准结构(40)与所述热端连接点(330)的间隔距离大于10纳米且小于10微米。
4.根据权利要求1所述的辐射功率传感器芯片，其特征在于，所述吸收辐射功率结构(20)包括：
传热结构(210)，位于所述第一表面(110)；
吸收结构(220)，位于所述传热结构(210)远离所述基底(10)的表面。
5.根据权利要求4所述的辐射功率传感器芯片，其特征在于，所述自校准结构(40)包括：
多个第一结构(411)，位于所述传热结构(210)与所述热端连接点(330)之间；
多个第二结构(412)，位于相邻两个所述热端连接点(330)之间；
多个所述第一结构(411)与多个所述第二结构(412)交替设置并一一对应首尾连接形成第一通路。
6.根据权利要求5所述的辐射功率传感器芯片，其特征在于，所述自校准结构(40)还包括第一自校准电极(421)和第二自校准电极(422)；
所述第一自校准电极(421)和所述第二自校准电极(422)分别与所述第一通路的两端连接。
7.根据权利要求1所述的辐射功率传感器芯片，其特征在于，所述第一热电结构(310)与所述第二热电结构(320)远离所述热端连接点(330)的连接点形成冷端连接点(340)。
8.根据权利要求7所述的辐射功率传感器芯片，其特征在于，所述冷端连接点(340)相对的所述基底(10)的厚度小于所述热端连接点(330)相对的所述基底(10)的厚度。
9.根据权利要求1所述的辐射功率传感器芯片，其特征在于，所述辐射功率传感器芯片还包括：
第一输出电极(50)和第二输出电极(60)，多个所述第一热电结构(310)与多个所述第二热电结构(320)交替设置并一一对应首尾连接形成第二通路，所述第一输出电极(50)和所述第二输出电极(60)分别与所述第二通路两端的所述第一热电结构(310)和所述第二热电结构(320)连接。
10.根据权利要求1所述的辐射功率传感器芯片，其特征在于，所述第二热电结构(320)的塞贝克系数与所述第一热电结构(310)的塞贝克系数不同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量科学研究院，未经中国计量科学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010626600.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：平面型热电堆测温芯片
- 下一篇：一种高功率皮秒激光器
