[发明专利]一种RFID芯片与超级电容三维集成系统及其制备方法在审
| 申请号： | 202010618775.0 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111882017A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 朱宝;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077;H01G11/08;H01G11/84;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种RFID芯片与超级电容三维集成系统及其制备方法。该RFID芯片与超级电容三维集成系统包括：硅衬底(200)；RFID芯片(201)，其位于所述硅衬底(200)正面；超级电容，其位于所述硅衬底(200)背面，位置与所述RFID芯片(201)相对应，但不相互接触；硅通孔结构，其贯穿所述硅衬底(200)，位于所述RFID芯片(201)的两侧；其中，所述RFID芯片(201)的芯片正电极(2021)和芯片负电极(2022)分别通过两侧的所述硅通孔结构与所述超级电容的电容接触正电极(2131)和电容接触负电极(2132)电气连通；封装基板218，其与所述电容接触正电极(2131)和所述电容接触负电极(2132)电气连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rfid 芯片 超级 电容 三维 集成 系统 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司，未经复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010618775.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
