[发明专利]一种提高氮化镓器件良品率的方法在审
| 申请号： | 202010616341.7 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111883450A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王馨梅;段鹏冲;邹旭;李丹妮 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高氮化镓器件良品率的方法，具体包括如下步骤：步骤1，在衬底表面划分格点，在每一个格点位置上进行拉曼光谱测量，从而获得整个衬底的应力分布情况：步骤2，对孔晕光学边沿进行判断，并根据孔晕光学边沿找到所有孔晕；步骤3，通过抽样选取孔晕，并采用拟合的方法得到适用于整个衬底材料的孔晕应力指数衰减特征常数：步骤4，确定所有孔晕的不良区。本发明能够在不破坏材料的前提下，根据孔晕缺陷周围应力规律判断出该缺陷的有效影响范围，进而在后续工艺中有效的避让这些区域，达到提高器件制备良品率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化 器件 良品率 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
