[发明专利]基于同一衬底制备不同厚度薄膜的方法及其结构、及应用器件有效
| 申请号： | 202010608583.1 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111799367B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;金婷婷;林家杰;游天桂;周鸿燕;张师斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L41/312 | 分类号： | H01L41/312;H01L41/332;H01L41/22;H01L41/08 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例所公开的一种基于同一衬底制备不同厚度薄膜的方法及其结构、及应用器件，通过在具有不同厚度介质层的压电衬底上注入种类、剂量和能量均相同的离子，使得在该衬底的不同深度处形成多个损伤层，可以在同一衬底的不同区域上得到间隔开的不同厚度的异质衬底薄膜，可以提高衬底的利用率，节约衬底制造成本，并且，利用间隔开的不同厚度的异质衬底薄膜增加应用器件的空气边界，可以提高声波在薄膜边界的反射系数，进而可以提高器件的品质因子。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 同一 衬底 制备 不同 厚度 薄膜 方法 及其 结构 应用 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010608583.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
