[发明专利]提高LED倒装芯片光提取效率的方法有效
| 申请号： | 202010600418.1 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111710765B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 郭亚楠;刘志彬;闫建昌;李晋闽;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种提高LED倒装芯片光提取效率的方法，包括以下步骤：提供具有第一表面和第二表面的一透明衬底；采用Al靶材磁控溅射技术，在不含氧的以氮气为主要溅射气氛条件下，在所述衬底的第二表面沉积一层AlN薄膜，形成AlN模板；将制得的AlN模板放入高温退火设备中进行退火处理，退火温度为1500‑2000℃，退火气氛为氮气或含氮气的混合气氛，退火时间为0.5‑10小时；将退火后的衬底和AlN模板清洗后，放入生长设备中，在所述衬底的第一表面上外延LED全结构并制作至少一个LED芯片单元；在所述LED表面覆盖保护层；将所述衬底第二表面的AlN模板浸入碱性溶液中进行腐蚀，其表面腐蚀形成微纳米结构；除去所述LED表面的保护层；进行芯片划裂，形成分立的LED倒装芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 led 倒装 芯片 提取 效率 方法 | ||
【主权项】：
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