[发明专利]一种低b*值高透过率导电膜有效
| 申请号： | 202010599787.3 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111755146B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 靳世东;曾西平;詹世治;肖谢 | 申请（专利权）人： | 深圳市华科创智技术有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/16;H01B1/22;H01B13/00 |
| 代理公司： | 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489 | 代理人： | 王庆海 |
| 地址： | 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及导电膜技术领域，尤其涉及一种低b*值高透过率导电膜。该导电膜包括基材层和位于基材层上的导电层，导电层为银纳米线导电油墨涂布固化而成，银纳米线导电油墨中添加有质量分数为0.2‑1wt％的蓝色中空SiO |
||
| 搜索关键词： | 一种 透过 导电 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华科创智技术有限公司，未经深圳市华科创智技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010599787.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数据处理方法和装置
- 下一篇：支付方法及装置、存储介质、处理器
