[发明专利]一种获得电荷俘获型3D NAND闪存软信息的方法在审
| 申请号： | 202010593839.6 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111798902A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 裴永航;高美洲 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/26;G11C29/42;G06F11/10 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种获得电荷俘获型3D NAND闪存软信息的方法，通过读取目标页面相邻的存储器单元的数据，根据离线训练获得的相邻存储器单元对其电荷保持干扰影响，对目标页面数据的软信息进行修正，提高软信息的准确性，获得更高的纠错性能。对于提高电荷俘获型3D NAND闪存的性能、寿命和稳定性，同时减少占用资源和延迟时间，有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获得 电荷 俘获 nand 闪存 信息 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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