[发明专利]一种三相桥式低寄生振荡两电平SiC MOSFET电路拓扑结构

摘要

本发明公开了一种三相桥式低寄生振荡两电平SiC MOSFET电路拓扑结构，包括：直流电源V，直流母线电容C，6个铁氧体磁珠FB1、FB2、FB3、FB4、FB5、FB6，6个SiC MOSFET M1、M2、M3、M4、M5、M6，6个体二极管D1、D2、D3、D4、D5、D6，A相负载电感LA和负载电阻RA，B相负载电感LB和负载电阻RB，C相负载电感LC和负载电阻RC。SiC MOSFET M1和SiC MOSFET M4的中间接A相负载电感LA和负载电阻RA，SiC MOSFET M2和SiC MOSFET M5的中间接B相负载电感LB和负载电阻RB，SiC MOSFET M3和SiC MOSFET M6的中间接C相负载电感LC和负载电阻RC。A相负载、B相负载与C相负载成Y形连接，直流电源V与直流母线电容C及三相桥并联。本发明公开的拓扑电路通过设置铁氧体磁珠可以有效抑制电路的寄生振荡现象。