[发明专利]量子点材料及制备方法、量子点发光二极管及制备方法在审

专利信息
申请号: 202010591352.4 申请日: 2020-06-24
公开(公告)号: CN113831908A 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 张旋宇;刘文勇 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/88;C07C55/02;C07C55/16;C07C55/18;C07C55/14;C07C51/09;H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 黄志云
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种量子点薄膜的制备方法,包括以下步骤:在惰性气氛下,提供化合物A的脂肪酸溶液和第一量子点的混合溶液体系,在第一加热条件下进行配体交换反应,制备表面结合有化合物A的第二量子点;其中,所述化合物A的结构通式如下,X1为与所述第一量子点结合的第一活性基团;R1为‑(CH2)n‑,R2为直链CmH2m+1,m、n为正整数,且n+m的取值范围为2~12;提供基板,在所述基板上沉积所述第二量子点制备量子点预制膜;在所述量子点预制膜上沉积含有酯水解催化剂的混合溶液,加热使至少处于量子点预制膜表面的化合物A发生酯水解反应生成第一配体,制备量子点薄膜。
搜索关键词: 量子 材料 制备 方法 发光二极管
【主权项】:
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