[发明专利]一种基于部分活性金属掺杂薄膜的阻变存储器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010588247.5 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111725400A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 宋成;孙一鸣;潘峰;乔磊磊;曾飞 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于部分活性金属掺杂薄膜的阻变存储器件结构及其制备方法。所述阻变存储器由下至上依次包括基片、底电极、未掺杂的介质层、活性金属掺杂的介质层和顶电极。本发明把活性金属以掺杂的方法加入介质层，本质上是将掺杂的氧化物薄膜作为电极，未掺杂的氧化物薄膜作为介质层，有利于在介质层中形成以活性金属纳米团簇构成的电子隧穿型的导电细丝，能够有效地降低阻变存储器的工作电流，进而实现低功耗的目标。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 部分 活性 金属 掺杂 薄膜 存储 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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