[发明专利]一种提取GaN HEMT晶体管动态串联电阻的方法在审
| 申请号： | 202010585876.2 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111707870A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 何进;何燕冬;魏益群;李春来;胡国庆;何箫梦 | 申请（专利权）人： | 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院);北京大学深圳研究院 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;G01R31/26 |
| 代理公司： | 南昌丰择知识产权代理事务所(普通合伙) 36137 | 代理人： | 刘小平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种提取GaN HEMT晶体管动态串联电阻的方法，在直流和脉冲测试条件下，通过提出的方法，可以在不同的偏置和电压‑电流条件下直接提取GaN HEMT晶体管动态串联栅源电阻R |
||
| 搜索关键词： | 一种 提取 gan hemt 晶体管 动态 串联 电阻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院);北京大学深圳研究院，未经深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院);北京大学深圳研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010585876.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种环保型固废处理装置
- 下一篇：电热膜检测装置
