[发明专利]一种GaAs/InGaP双结表面等离子体增强太阳能结构

摘要

本发明公开了一种GaAs/InGaP双结表面等离子体增强太阳能结构，包括从下到上依次相接的下电极、第一子电池、透明导电层、第二子电池和上电极；第一子电池为GaAs电池，包括从下到上依次相接的第一背场层、第一基层、第一发射层和第一窗口层；第二子电池为InGaP电池，包括从下到上依次相接的第二背场层、第二基层、第二发射层、第二窗口层和接触层；第一、第二背场层的下表面均具有金属纳米颗粒；接触层上表面上电极之外的部分覆盖有减反射膜层。上述结构包括两个子电池，并在两个电池的背电场中分别制作纳米金属颗粒，利用纳米金属颗粒表面等离子体共振所产生的表面局域增强效应，增加各子电池对相应波段的吸收利用；同时还可增加底电池吸收的光程，提高太阳能转换效率。