[发明专利]负阻钳位可控硅整流忆阻器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种负阻钳位可控硅整流忆阻器件及其制作方法，衬底P‑Sub上设有DN‑Well区，DN‑Well区中设有第一P‑Well区、N‑Well区和第二P‑Well区；第一P‑Well区中设有第一浅槽隔离区、第一P+注入区、第二浅槽隔离区、第一N+注入区、第一多晶硅栅、第三浅槽隔离和第二P+注入区，第四浅槽隔离区横跨在第一P‑Well区和N‑Well区的交界处；N‑Well区中设有第二N+注入区、第五浅槽隔离区和第三N+注入区，第六浅槽隔离区横跨在N‑Well区和第二P‑Well区的交界处；第二P‑Well区中设有第三P+注入区、第七浅槽隔离区、第二多晶硅栅、第四N+注入区、第八浅槽隔离区、第四P+注入区和第九浅槽隔离区；如此，实现高阻态与低阻态的连续调控，实现基于标准微电子工艺的硅基忆阻器大规模片上集成的需求。