[发明专利]磁记录介质及其制造方法、以及磁记录再生装置有效
| 申请号： | 202010578142.1 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112185428B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 长谷川浩太;东佑 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/73 | 分类号： | G11B5/73;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 褚瑶杨;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
提供一种基底层和垂直磁记录层的晶体取向性较高的磁记录介质。磁记录介质(10)在非磁性衬底(1)上依次具有软磁性层(2)、第一种子层(3)、第二种子层(4)、基底层(5)、以及垂直磁记录层(6)。第一种子层(3)包含MoS |
||
| 搜索关键词： | 记录 介质 及其 制造 方法 以及 再生 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010578142.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基片热处理装置、基片热处理方法和存储介质
- 下一篇：锂离子二次电池用正极材料
