[发明专利]一种具有横向耗尽区的高电子迁移率晶体管

摘要

本发明公开了一种具有横向耗尽区的高电子迁移率晶体管，芯片层结构包括由下至上依次设置的衬底、GaN缓冲层、第一电流阻挡层、N‑GaN横向耗尽区、第二电流阻挡层、GaN沟道层，AlxGa1‑xN势垒层，以及设置在所述N‑GaN横向耗尽区右侧和所述GaN沟道层右侧的绝缘层，其中0x0.5，在所述AlxGa1‑xN势垒层两端分别设置源极和栅极，所述栅极靠近所述绝缘层一端，在所述N‑GaN横向耗尽区上表面设置漏极，所述漏极靠近所述源极一端。本发明的高电子迁移率晶体管，利用N‑GaN作为横向耗尽区，获得具有高耐压性能、高响应特性、不漏电的器件。