[发明专利]一种基于NaF形状调节剂的纳米碳化硅颗粒的制备方法有效
| 申请号： | 202010573128.2 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111591995B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 王志江 | 申请（专利权）人： | 黑龙江冠瓷科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种基于NaF形状调节剂的纳米碳化硅颗粒的制备方法，它属于碳化硅制备、半导体材料制备技术领域，它要解决现有碳化硅粉体的制备存在成本高、反应温度高、过程不易控制、工艺复杂、产率低、纯度较低和粒径分布不均匀的问题。方法：一、碳前驱体的制备；二、碳前驱体、NaF、纳米硅微粉和乙醇溶液球磨后喷雾干燥，得混合物料；三、混合物料高温烧结炉，得到预产物；四、除杂处理。本发明通过NaF、硅源以及碳源的相互作用，有效抑制碳化硅的过饱和的线状生长，控制粒子形貌与粒径。本发明的制备方法简单，反应温度适中、过程易控制，从而提高了生产效率，并且产品纯度高，粒径分布均匀。本发明应用于纳米级碳化硅颗粒的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 naf 形状 调节剂 纳米 碳化硅 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】：
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