[发明专利]一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010573058.0 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111599901A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 高芳亮 | 申请（专利权）人： | 宜兴曲荣光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州专才专利代理事务所(普通合伙) 44679 | 代理人： | 曾嘉仪 |
| 地址： | 214203 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片及其制备方法，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层、GaN缓冲层、AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂GaN薄膜；GaN缓冲层上形成有阵列排布的第一沟槽；AlGaN缓冲层的下部沉积在第一沟槽内，AlGaN缓冲层上形成有阵列排布的第二沟槽；第一沟槽和第二沟槽在垂直方向上不重叠；非掺杂AlGaN层的下部沉积在第二沟槽内。本发明生长在Si衬底上的紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，通过多次刻蚀，增加AlGaN的横向外延，有效抑制位错往上延伸，有生长高晶体质量紫外LED外延片的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 si 衬底 紫外 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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