[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202010572315.9 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN112185789A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 有吉文彬;浅原玄德;相泽俊介;伏见彰仁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法由在载置于支承台的基片的周围具有环状部件的等离子体处理装置实施，该蚀刻方法中，上述环状部件包括第1环状部件和比上述第1环状部件靠外侧配置的第2环状部件，上述第1环状部件的至少一部分配置在上述基片的外周部的下表面与上述支承台的上表面之间的空间，上述蚀刻方法包括：根据上述第2环状部件的消耗量，利用上述第1环状部件调整上述空间的介电常数的工序；和蚀刻上述基片的工序。本发明能够改善基片的外周部的蚀刻特性。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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