[发明专利]衬底处理装置中的等离子体在审
| 申请号： | 202010564372.2 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN112126914A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | N·霍尔姆;铃木俊哉 | 申请（专利权）人： | 皮考逊公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 马明月 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及衬底处理装置中的等离子体。衬底处理装置(100)及相关方法，其中等离子体物质经由等离子体进料线(115)而被引入到针对沉积目标(160)的反应室(130)中。等离子体进料线(115)经过等离子体形成区。在等离子体进料线内的等离子体物质的速度通过等离子体形成区下游的收缩部(112)而加速。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 中的 等离子体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
