[发明专利]一种表面镀有金刚石膜的第一壁材料制备方法在审
申请号: | 202010563979.9 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN111593317A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 耿传文;赵鹏;曾梅花;张晓东;胡立群 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | C23C16/02 | 分类号: | C23C16/02;C23C16/27;C23C16/455;C23C16/511;G21B1/13 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 顾炜 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种表面镀有金刚石膜的第一壁材料制备方法,步骤为:首先,将第一壁材料中的面向等离子体块材(表面材料为钨,简称PFM)放入压入式干喷砂机中喷砂,其次将喷砂后的PFM进行超声清洗、烘干后放置在双基片台微波等离子体化学气相沉(MPCVD)反应装置内,然后用氢等离子体先对其刻蚀清洗,最后在表面上进行金刚石膜的沉积。该方法采用MPCVD方法在第一壁材料表面制备金刚石膜,具有非常好的结合力,改善磁约束可控热核聚变(托克马克)第一壁材料原本杂质容忍度低、物理溅射和辐照效应较差等性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 金刚石 第一 材料 制备 方法 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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