[发明专利]一种以熔融二氧化硅为硅源制备高纯莫来石材料的方法

摘要

一种以熔融二氧化硅为硅源制备高纯莫来石材料的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：a、按质量百分比将75~94wt%的二氧化硅质原料、4~20wt%的铝硅质原料和0.1~2wt%的烧结助剂混合后，经过球磨、烘干、成型，在1500~1600℃高温炉中煅烧0.5‑1小时，将混合原料烧制成熔融态，冷却后即得熔融二氧化硅原料；b、将步骤a中制备的熔融二氧化硅原料破碎后和氧化铝质原料按Al2O3/SiO2摩尔比为3：2的组成配料，将混合原料共磨后加入上述原料之和4wt%的结合剂，并在80~150MPa压力下成型，经1550~1650℃煅烧3~8小时，冷却后得到高纯莫来石晶体材料。本发明以熔融二氧化硅为硅源，合成高纯莫来石材料的烧结温度低，助烧结剂加入量少，并形成柱状莫来石和板片状莫来石晶体；具有杂质含量少、致密度高和高温力学性能好的特点。