[发明专利]基于表面等离激元增强的亚微米垂直深紫外LED及制备方法有效
| 申请号： | 202010545825.7 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN111725372B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 袁佳磊;王永进 | 申请（专利权）人： | 南京亮芯信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/20;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 邓道花 |
| 地址： | 210019 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于表面等离激元增强的亚微米垂直深紫外LED及制备方法，亚微米垂直深紫外LED包括依次设置的p型电极层、p型导电硅衬底、金属键合层、p型反射电极层、p‑GaN层、MQWs层、n‑AlGaN层和n型电极，n型电极设置为网状结构，n‑AlGaN层位于n型电极的网状结构内填充有等离激元修饰层，并且深紫外LED器件的整体厚度不超过200μm。该亚微米垂直结构深紫外LED通过减薄器件整体厚度从而减小内部全反射造成的波导模式限制效应，同时结合n‑AlGaN面上的表面等离激元修饰进一步增强深紫外LED的出光效率，从而改善电光转换效率，亚微米垂直结构深紫外LED的制备方法的使用，使得该亚微米垂直结构深紫外LED在通信、照明、显示以及医疗杀菌领域能够得到较为广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 表面 离激元 增强 微米 垂直 深紫 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
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