[发明专利]氧化硅层的刻蚀方法、MEMS器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202010545252.8 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN111453695B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 魏丹珠;代丹;刘双娟;周凯;黄志诚;石杰 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化硅层的刻蚀方法、MEMS器件及其形成方法。在利用含气态氟化氢的第一反应气体精确刻蚀氧化硅层的基础上，虽然还会产生有聚合物，此时可以通过等离子气体清除所产生的聚合物，以避免聚合物附着在衬底结构上，如此以提高相应器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 刻蚀 方法 mems 器件 及其 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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