[发明专利]一种RRAM读出电路及其读出方法有效
| 申请号： | 202010543091.9 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111883199B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 段杰斌;沈灵;李琛;郭令仪;王鹏飞 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种RRAM读出电路及其读出方法，用于读出多值待测RRAM的阻值，其包括用于将待测RRAM的阻值转换为时间控制信号作为锁存器的锁存控制信号RRAM阻值‑时间转换器；用于产生多路参考时间数字码流的时间‑数字发生器；受RRAM阻值‑时间转换器控制将时间‑数字发生器输出的参考时间数字码流进行锁存的锁存器、以及用于将锁存器输出的数字码流转换为二进制数字信号的数字编码器。因此，本发明的RRAM读出电路采用基本数字逻辑单元，在进行RRAM量化时，具有结构简单和低功耗的优点，特别适于推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rram 读出 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
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