[发明专利]氧化锌纳米材料及其制备方法、半导体器件有效

专利信息
申请号: 202010543012.4 申请日: 2020-06-15
公开(公告)号: CN113809245B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 李俊杰;张天朔;郭煜林 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;B82Y30/00
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 黄志云
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种氧化锌纳米材料,所述氧化锌纳米材料包括ZnO纳米颗粒,以及结合在所述ZnO纳米颗粒上的表面配体,所述表面配体的结构如下式1所示,式1中,R1、R2、R3、R4、R5各自独立地选自氢、碳原子数为1~3的烷氧基、氨基中的至少一种;且R1、R2、R3、R4、R5中含有1~3个碳原子数为1~3的烷氧基和0~1个氨基。本发明提供的氧化锌纳米材料,既能减少团聚发生,还能提高导电性能。
搜索关键词: 氧化锌 纳米 材料 及其 制备 方法 半导体器件
【主权项】:
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