[发明专利]BCD工艺中CMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010541634.3 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111785774B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BCD工艺中CMOS器件，CMOS器件包括沟道导电类型为第一导电类型的第一MOS晶体管，LDMOS器件包括沟道导电类型为第二导电类型的第一LDMOS；第一MOS晶体管的源区侧的第二导电类型的第一阱区中形成有第二导电类型掺杂的第一掺杂区，第一掺杂区也组成第一LDMOS的漂移区。第一MOS晶体管的漏区侧的第一阱区中形成有第一导电类型掺杂的第一轻掺杂漏区。第一源区和第一漏区分别形成于第一栅极结构两侧的第一掺杂区和第一轻掺杂漏区表面。本发明还公开了一种BCD工艺中CMOS器件的制造方法。本发明无需增加额外工艺即可实现高压CMOS器件并能延缓器件的短沟道效应并保证器件的击穿电压，从而能进一步缩短器件的尺寸，提高导通电流，降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | bcd 工艺 cmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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