[发明专利]基于表面处理及氧化工艺的GaN器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010539755.4 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111430239B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 马飞;冯光建;蔡永清 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06;H01L21/285;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于表面处理及氧化工艺的GaN器件及其制备方法，制备包括：提供半导体衬底，形成外延结构，形成器件隔离结构，形成源极欧姆电极及漏极欧姆电极以及形成自然氧化层及原位沉积形成栅氧接触层。本发明在外延结构表面形成自然氧化层，可以作为钝化层，同时对外延结构表面进行清洁，可以有效去除残留的光刻胶层以及工艺过程中不必要的碳和有机物等。采用原位沉积形成栅氧介质层，可以避免器件表面暴露于空气中造成的表面污染风险，对栅氧介质层成膜质量有益。自然氧化层及栅氧介质层均可以基于同一工艺腔室，均基于臭氧形成，使用O3作为栅氧介质层的氧源气体的ALD化学方法可以减少羟基杂质和残留氢，减少氧化层体内和界面陷阱。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 表面 处理 氧化 工艺 gan 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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