[发明专利]一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010528210.3 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111725340A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 杨文奕;王兵;何键华;黄嘉敬;曾桂平 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/0687;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 冯炳辉 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法，该超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片包括：PI膜；PI膜上表面设有P型电极；P型电极上的P型InGaAs接触层、InGaAs底电池、缓冲层、第二隧穿结、GaAs中电池、第一隧穿结、GaInP顶电池、N型GaAs接触层；N型GaAs接触层上的N型电极与减反膜。本发明使用柔性PI膜作为柔性砷化镓太阳电池芯片的支撑衬底，弯曲半径更小、功重比更高，对比无衬底工艺，保证了电池片后续封装与布片的可行性，采用正负电极同向结构，便于焊接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 柔性 砷化镓 太阳能电池 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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