[发明专利]一种采用掺杂氧化镍作为空穴传输层的正置结构钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010527776.4 申请日: 2020-06-09
公开(公告)号: CN111864082A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 陆军;欧阳立成 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;C01G53/04
代理公司: 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 代理人: 王宇
地址: 100029 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种采用掺杂氧化镍作为空穴传输层的正置结构钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述的太阳能电池的结构为:在FTO上,部分面积完全空白,其余部分依次涂覆电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和碳层;所述的空穴传输层为掺杂氧化镍。本发明以纳米结构的镍铝水滑石为前驱物,通过退火热解得到铝掺杂氧化镍,由于水滑石具有结构记忆效应,能够吸收空气中的水和CO2,将其作为空穴传输层,可以提高电池的光电转换效率及稳定性。本发明设计的采用掺杂氧化镍作为空穴传输层的正置结构钙钛矿太阳能电池,其制备简单,操作便捷,可简化对器件封装的要求,降低制造成本,具有很好的商业应用前景。
搜索关键词: 一种 采用 掺杂 氧化 作为 空穴 传输 结构 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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