[发明专利]一种用于检测IGBT过压击穿特性的电路及方法有效
| 申请号： | 202010527317.6 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111736053B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张经纬;谭国俊;杜祥威 | 申请（专利权）人： | 江苏国传电气有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/14;G01R31/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221116 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于检测IGBT过压击穿特性的电路及方法，该电路包括：母线直流电源，固态断路器，储能电容，升压电力电子开关，双脉冲测试电路；本发明采用双脉冲测试方法，能够实现IGBT在关断瞬态过高电压尖峰以及关断稳态时耐压过高引起的雪崩击穿；通过设置升压电力电子开关能够快速切换IGBT耐受电压，精确控制IGBT在关断稳态时耐受过高电压的时间；此外由于过长的雪崩击穿容易造成过流故障，本发明通过设置固态断路器，防止IGBT发生永久击穿时，因能量集聚引发严重的炸管现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 检测 igbt 击穿 特性 电路 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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