[发明专利]LED芯片转移结构、其制作方法和芯片转移方法在审
| 申请号： | 202010525032.9 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113782475A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈启燊;秦快;郭恒;欧阳小波;谢宗贤;赵强;范凯亮 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了LED芯片转移结构、其制作方法和芯片转移方法。该LED芯片转移结构包括基片以及位于基片上的刚毛结构，刚毛结构设置于各支撑面上刚毛结构中的刚毛包括光敏性有机绝缘材料，刚毛结构用于通过累积的范德华力将芯片进行吸附。上述LED芯片转移结构是通过累积的范德华力将芯片进行吸附，避免了转移头多次使用而导致的寿命下降，同时还能够避免静电转移头上的充电现象对Micro LED的损伤；并且，由于形成上述刚毛结构的材料包括光敏性有机绝缘材料，从而仅通过光刻等工艺即能够得到，使得转移头的制备工艺更为简单。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 转移 结构 制作方法 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
