[发明专利]一种单层MXene纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010523601.6 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111591992A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 段小明;严墨;卫增岩;赵晨;黄小萧;何培刚;贾德昌;周玉 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C01B32/921 | 分类号： | C01B32/921;C01B32/914;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11473 | 代理人： | 涂杰 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单层MXene纳米片及其制备方法，所述制备方法包括：将MAX相粉体分散于氢氟酸溶液中进行刻蚀反应，干燥后得到风琴状的Mxene粉体；将所述Mxene粉体和固态插层剂混合，并置于球磨罐中进行球磨，得到混合粉体；将所述混合粉体离心洗涤，除去所述固态插层剂，干燥后得到单层MXene纳米片。本发明通过采用固态插层剂，直接与风琴状Mxene粉体球磨，利用球磨提供的高能量和剪切力直接进行插层和剥离，一方面，不会对单层Mxene纳米片的结构产生破坏，后续洗涤过程中较容易完全除去；另一方面，固态插层剂可以很好的与风琴状MXene表面丰富的官能团吸附，在没有液相溶剂的参与下，有利于单层MXene材料的分离，提高产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 mxene 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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